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国内光刻技术与国外差距多大 中科院院士坦言
添加时间:2019/9/19 来源:网络收集

说到光刻技术,荷兰ASML公司绝对是目前全球数一的企业。其提供的光刻机已经可以完成7nm及更精密工艺的制造工作。而目前国内光刻机还处于90nm工艺水平,即使可以实现28nm工艺,也是借助国外光刻机实现的。那么目前国内光刻技术与国外差距到底多大呢?



荷兰ASML光刻机

在2019中国集成电路设计大会上,针对这个问题,中科院院士刘明坦言,目前国内光刻技术与国外差距大约15年至20年。刘明院士表示,目前光刻技术是整个集成电路中我们与国外差距最大的部分。

当然我国在其他部分已经取得了不错的成果,比如EUV光源、多层膜、掩膜、光刻胶、超光滑抛光技术等。

编辑点评:近两年国产力量崛起,在部分领域已经实现赶超。当然在集成电路部分,特别是生产环节,我国依旧落后。光刻机作为集成电路中的重要环节,将会成为未来国内重点攻克部分。

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